ANAPF有源電力濾波器

1、ANAPF產(chǎn)品介紹

2、外觀尺寸

3、技術(shù)參數(shù)

4、接線示意

5、諧波電流的估算

      絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件,集成了mosFET的電壓驅(qū)動(dòng)和高開(kāi)關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn),在電機(jī)控制、開(kāi)關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對(duì)應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專(zhuān)有EXB84l型驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)進(jìn)行討論,并提出一種具有完善保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路。

　　有源電力濾波器設(shè)計(jì)中應(yīng)用4個(gè)IGBT作為開(kāi)關(guān),并用4個(gè)EXB84l組成驅(qū)動(dòng)電路,其原理如圖l所示。在實(shí)驗(yàn)中,根據(jù)補(bǔ)償電流與指令電流的關(guān)系,用數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)控制PWM引腳的高低電平,并由驅(qū)動(dòng)電路控制IGBT的通斷。驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)對(duì)過(guò)流故障進(jìn)行監(jiān)測(cè),由DSP采取控制信號(hào)、停機(jī)等處理。

圖1 有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)電路原理

1 驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

1.1 驅(qū)動(dòng)電路電源

　　驅(qū)動(dòng)電路需要4路相互隔離的直流電源為4路IGBT驅(qū)動(dòng)電路供電,用220V/22V變壓器對(duì)4路交流電源分別整流,用電容器和78L24型電壓調(diào)整器穩(wěn)壓后輸出4路24V直流電壓,如圖2所示。

圖2 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的電源設(shè)計(jì)

1.2 柵極電壓

　　IGBT通常采用柵極電壓驅(qū)動(dòng),它對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有著特殊的要求。柵極驅(qū)動(dòng)電壓脈沖的上升率和下降率要足夠大,導(dǎo)通時(shí),前沿很陡的柵極電壓UGE可以使IGBT快速導(dǎo)通,并減小導(dǎo)通損耗,關(guān)斷時(shí),其柵極驅(qū)動(dòng)電路要給IGBT提供一個(gè)下降很陡的關(guān)斷電壓,并在柵極和發(fā)射極之間施加一個(gè)適當(dāng)?shù)姆聪蜇?fù)偏壓,以便使IGBT快速關(guān)斷,并減小關(guān)斷損耗。IGBT導(dǎo)通后,柵極的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的寬度,以保證IGBT在瞬時(shí)過(guò)載時(shí)未退出飽和區(qū)受到損壞。柵極驅(qū)動(dòng)電壓值為15 V±1.5 V,這個(gè)電壓值使IGBT*飽和導(dǎo)通,并使通態(tài)損耗減至小。施加關(guān)斷負(fù)偏壓可以抑制C-E間出現(xiàn)du/dt時(shí)IGBT的誤導(dǎo)通,也可以減少關(guān)斷損耗。

1.3 門(mén)極電阻R1

　　門(mén)極電阻R1的選取對(duì)通態(tài)電壓、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗及承受短路的能力都有不同程度的影響。當(dāng)門(mén)極電阻增大時(shí),IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間增加,從而使導(dǎo)通和關(guān)斷損耗增加。當(dāng)門(mén)極電阻減小時(shí),則會(huì)導(dǎo)致di/dt增加,從而引起IGBT的誤導(dǎo)通。所以應(yīng)根據(jù)IGBT的電流容量和電壓額定值以及開(kāi)關(guān)頻率的不同選擇R1的阻值。

　　Rl的值可以用下式計(jì)算：

　　IC為IGBT的集電極電流。如圖3所示,一般R1取十幾歐姆到幾十歐姆,R2為30 Ω。由于IGBT是壓控器件,當(dāng)集-射極間加高壓時(shí),很容易受外界干擾,而使柵-射極間電壓超過(guò)一定值,引起器件誤導(dǎo)通,為了防止這種現(xiàn)象的發(fā)生,在柵-射極間并聯(lián)一電阻器R6可起到一定作用。一般R6阻值是R2阻值的l 000~5 000倍,而且應(yīng)將它并聯(lián)在柵-射極近處。電路中的電容器Cl和C2用來(lái)抑制因電源接線阻抗引起的供電電壓變化,而不是用于電源濾波。

1.4 EXB841驅(qū)動(dòng)環(huán)節(jié)

　　筆者在實(shí)驗(yàn)中采用的是EXB841型IGBT驅(qū)動(dòng)模塊,其高運(yùn)行頻率為40 kHz,輸入信號(hào)經(jīng)內(nèi)部光耦隔離,光隔驅(qū)動(dòng)電流為10 mA,大延時(shí)約為1 μs。工作溫度范圍為-10℃~+85℃,供電電壓為+20 V～+25 V。筆者對(duì)EXB841功能進(jìn)行了擴(kuò)展,圖3為驅(qū)動(dòng)環(huán)節(jié)電路。

圖3 有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)電路圖

　　EXB841的6引腳連接的二極管可檢測(cè)IGBT的飽和壓降,用來(lái)完成過(guò)流保護(hù)功能,4引腳的過(guò)流保護(hù)信號(hào)延時(shí)10μs輸出。當(dāng)IGBT有過(guò)流時(shí),若UCE大于7.5V,內(nèi)部過(guò)流保護(hù)電路開(kāi)始動(dòng)作,軟關(guān)斷IG-BT。通常在IGBT通過(guò)額定電流時(shí)UCE為3.5 V,當(dāng)UCE=7.5 V時(shí),IGBT有過(guò)流,其值約為額定電流的3~5倍,但是由于沒(méi)有達(dá)到保護(hù)的閾值,保護(hù)電路不起作用。如果長(zhǎng)時(shí)間工作在這種狀態(tài),則會(huì)導(dǎo)致IGBT損壞。為了可靠地保護(hù)IGBT,應(yīng)該降低過(guò)流保護(hù)閾值,可以在D1與IGBT的集電極間反串一個(gè)穩(wěn)壓管,或多串幾個(gè)與D1同規(guī)格的快速恢復(fù)二極管。如圖3通過(guò)反串一個(gè)IN4728型3.3 V穩(wěn)壓管使保護(hù)閾值降為4.2V。當(dāng)檢測(cè)到IGBT過(guò)流后,5引腳變?yōu)榈碗娖?TPL521型光耦輸出低電平,通過(guò)與門(mén)控制信號(hào)輸入,同時(shí)使4輸入與非門(mén)輸出低電平,觸發(fā)功率驅(qū)動(dòng)保護(hù)中斷,完成相應(yīng)的保護(hù)處理。

1.5 控制部分與驅(qū)動(dòng)部分的隔離

　　控制電路為弱電部分,極易受到干擾;驅(qū)動(dòng)電路直接與外電路連接,是一個(gè)較強(qiáng)的干擾源;為了實(shí)現(xiàn)整個(gè)設(shè)備的電磁兼容,控制電路部分必須與驅(qū)動(dòng)部分隔離。為了避免公共電源對(duì)控制電路產(chǎn)生干擾,應(yīng)對(duì)控制電路及驅(qū)動(dòng)電路分別供電,EXB84l的電源電壓為+20 V,一般控制電路的供電電壓為5 V,因此,可以利用圖4所示的DC-DC微功率模塊進(jìn)行電源隔離,采用A2405D型微功率模塊實(shí)現(xiàn)電源的隔離。

2 IGBT及驅(qū)動(dòng)電路的保護(hù)

2.1 IGBT的過(guò)電壓保護(hù)

　　IGBT集-射極之間的瞬時(shí)過(guò)壓會(huì)對(duì)IGBT造成損壞,筆者采用箝位式吸收電路對(duì)瞬時(shí)過(guò)電壓進(jìn)行抑制。當(dāng)IGBT導(dǎo)通時(shí),由于二極管的作用,電容器的電荷不會(huì)被放掉,電容器電壓仍為電源電壓。IGBT關(guān)斷時(shí),負(fù)載電流仍流過(guò)IGBT,直到IGBT集-射極之間電壓達(dá)到電源電壓,續(xù)流二極管導(dǎo)通。應(yīng)用該電路,可以使雜散電感中的能量通過(guò)二極管轉(zhuǎn)儲(chǔ)到吸收電容器中,而IGBT的集電極電位被箝位在電容電壓上,這樣就可以抑制IGBT集電極的尖峰電壓。吸收電容器的容值可以按公式(2)選取：

　　式中,L是引線電感;i是IGBT關(guān)斷時(shí)的電流;△U是吸收電容器上的電壓過(guò)沖。

　　當(dāng)吸收回路中的電容器電壓高于直流側(cè)電容器上的電壓時(shí),通過(guò)電阻器向直流側(cè)電容器回送能量,一直到與直流側(cè)電容器的電壓相等。當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí),線路電感在集電極和發(fā)射極二端產(chǎn)生很高的尖峰電壓,加上箝位式吸收電路以后,UCE被箝位在電容器電壓上,當(dāng)UCE高于電容器電壓時(shí),線路電感的能量被轉(zhuǎn)移到吸收電容器上,當(dāng)尖峰電壓過(guò)去以后,吸收電容高于主電容的那部分電壓會(huì)由于能量回進(jìn)而達(dá)到與主電容相等。這樣就抑制了集-射極間的尖峰電壓。吸收電容越大,吸收效果越好。由于吸收電容器上過(guò)沖的能量大部分被送回到直流側(cè)電容,所以減小了電阻器的功耗。

2.2 消除IGBT集-柵極之間的du/dt

　　圖5所示為EXB841與IGBT柵-射極之間的連接電路原理圖。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路中的V4導(dǎo)通時(shí),IGBT處于正常導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)V5導(dǎo)通時(shí),IGBT柵-射極之間通過(guò)穩(wěn)壓管VZ2提供一個(gè)-5V電壓加在其兩端,使IGBT關(guān)斷,此時(shí)V5處于臨界導(dǎo)通狀態(tài),穩(wěn)壓管VZ2處于反向偏置狀態(tài)。但由于集-柵極之間分布電容的影響,集-柵極之間的du/dt增大時(shí),其通過(guò)分布電容形成的電流經(jīng)過(guò),所以,要克服集-柵極之間的du/dt,確保穩(wěn)壓管不過(guò)壓,避免IGBT誤導(dǎo)通。克服du/dt的方法有二種：一是驅(qū)動(dòng)電路輸出與IGBT柵-射極之間的連線采用雙絞屏蔽電纜,屏蔽層接地,二是采用快速吸收電路吸收過(guò)電壓。

2.3 EXB841的過(guò)流保護(hù)功能擴(kuò)展

　　EXB841自身具有過(guò)流保護(hù)功能,其保護(hù)原理是利用IGBT的集電極通態(tài)飽和壓降與集電極電流呈近似線性關(guān)系。當(dāng)IGBT工作在正常狀態(tài)時(shí),EXB841的6腳電位箝制在8 V,內(nèi)部保護(hù)不動(dòng)作,當(dāng)IGBT因承受過(guò)流而退出飽和狀態(tài)時(shí),IGBT集-射極間的電壓上升很多,與EXB84l的6引腳相連的快速二極管截止,EXB841的6引腳被懸空,內(nèi)部保護(hù)動(dòng)作,輸出驅(qū)動(dòng)電壓慢慢下降,實(shí)現(xiàn)IGBT的軟關(guān)斷。

　　在實(shí)際應(yīng)用中,僅靠EXB841的6引腳檢測(cè)IG-BT集電極電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)并不足以有效地保護(hù)IGBT,因此有必要在主電路中加接霍爾電流傳感器來(lái)檢測(cè)電路中的過(guò)流,如圖6所示。過(guò)流發(fā)生后,檢測(cè)電路檢測(cè)到電流,延時(shí)8μs后信號(hào)還存在的話。驅(qū)動(dòng)信號(hào)以關(guān)斷IGBT。在圖中,霍爾電流傳感器如果在主電路中檢測(cè)到過(guò)流信號(hào),其中的PNP三極管將導(dǎo)通,同時(shí),NPN三極管被截止,EXB841的6腳被懸空;當(dāng)沒(méi)有過(guò)流信號(hào)時(shí),PNP三極管不導(dǎo)通,NPN三極管導(dǎo)通,此時(shí)電路等效于擴(kuò)展前的電路。

3 結(jié)束語(yǔ)

　　本設(shè)計(jì)應(yīng)用以上電路對(duì)IGBT進(jìn)行驅(qū)動(dòng)和保護(hù)。此驅(qū)動(dòng)電路是在典型驅(qū)動(dòng)電路的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)和完善的,并且自行設(shè)計(jì)了隔離部分和過(guò)電流保護(hù)擴(kuò)展部分。此驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)簡(jiǎn)單、實(shí)用,對(duì)被驅(qū)動(dòng)的IGBT有完善的保護(hù)能力,輸出阻抗低,具有較強(qiáng)的抗干擾性能。

　　應(yīng)用這種IGBT模塊的有源濾波器的樣機(jī)通過(guò)試驗(yàn),證明硬件能夠協(xié)調(diào)配合,控制效果穩(wěn)定、精確,并且已經(jīng)批量制板。